分析一下飞索 的一些说法：chip的成本跟wafer成本和die size以及yield有关。mirrobit在wafer制造成本优势在于它使用的是SONOS结构的NVM，而目前主流的NOR/NAND都是FG结构。mirrobit的mask会少一些，而且yield较高（因为step数少了，同时制造TAT也会减少）。而bitcell size则由于mirrorbit的共享栅对称结构，还是有可能会比MLC的FG bitcell小。所以chip size比MLC小30％是有可能的。但是这仅限于对比MLC NOR的flash。由于NOR flash bitcell间contact以及由电路结构决定的metal power line的存在，Mirrorbit的chip size还是不能跟MLC NAND相比。如果未来采用CTF技术的MLC NAND量产，mirrobit在wafer成本上也可能会与CTF MLC NAND接近。此时mirrobit成本并不明显。制造TAT也会接近。

关于未来手机中NOR会取代DRAM。如果说一定要这个现象出现，那么也只会在低端手机中。NOR的写入速度和擦除速度严重不足，这是电路结构就决定的。对于中高端手机所需要的CPU与RAM间的数据交换带宽，目前的NOR还无法提供这样带宽。以目前memory技术发展看，未来最后可那个替代DRAM的是Phase change memory.

在下一代存储器量产前，能够将NOR/NAND的优点兼收并蓄的看起来没有几个了，可能OneNAND算一个。他继承了NAND的高速写入和制造优势（CTF技术导入时也可以平滑过渡，继续享受NAND结构的优势），同时通过辅助逻辑使OneNAND具备了比NOR还高的读取速度。