金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)领域的革新，多少弥补了这个成熟产品领域缺乏技术创新的现状。这些革新有益于促使将分立功率半导体引入新应用，并且探索新的终端用户市场机会。