物料名称

规格型号

技术参数

封装形式

品牌

报价(如果RMB需注明含不含税)

币种

NOR FLASH

K8D1716UTCDI07

2.7V~3.6V,16Mbits(2M*8) ,70ns,FPGA48

6.00mm*8.50mm

SAMSUNG

COMBO FLASH(NAND FLASH+Mobile SDRAM)

K5D5657DCA-D090

2.6V/1.8V；256M(32M*8)+256M(4M*16*4Banks)；Uniform Block；9.5ns(CL=3)

FBGA107（Tray）

SAMSUNG

COMBO FLASH(NAND FLASH+Mobile SDRAM)

K5D5629ACB-D090

1.8V/1.8V；256M Bit(32M*8) NAND FLASH+128M Bit(2M*16*4Banks)SDRAM；Uniform Block；9.0ns(CL=3)

FBGA107

SAMSUNG

ComboFlash

K5A3281CTM-D755000

006030200021的无铅代码  2.7~3.1V；32M(*8/*16)Flash + 8M(*8/*16)SRAM；70ns；Top Sector

69-Ball BGA size:8mm*11mm（Tray）

SAMSUNG

COMBO FLASH

K5A6317CTM-D770

（64+16的无铅代码）3.0V；64M(*8/*16)FLASH+16M(*16) PSRAM/64M(*16)FLASH+16M(*16)FCRAM；70ns,bank划分不一样

BGA56//69Ball FBGA （Tray）

SAMSUNG

COMBO FLASH

KAD060700D-DLLL

（006030200007的无铅代码）128M + 32Mbit COMBO FLASH，Two Chip Enable (Flash)，Voltage：2.7V-3.1V，FBGA

64PIN FBGA (Tray)

SAMSUNG

COMBO FLASH

K5J6332CTM-D770

（006030200022的无铅代码）64M Bit (Two Dual Bank) NOR Flash Memory / 32M Bit (2Mx16) Page Mode UtRAM

FBGA69

SAMSUNG

512Mb NAND Flash + 512Mb Mobile SDRAM 的MCP MEMORY

K5D1213ACM-D090

1)Voltage Supply:1.8V,Voltage Supply:1.8V. 2) :(64M + 2048K)bit x 8 bit, :16Mx32bit。3）:Input hold time=1ns (min)

FBGA137/10.5x13x1.1

SAMSUNG

1Gb NAND Flash + 512Mb Mobile DDR SDRAM MCP  MEMORY

K5E1G13ACM-D075

NAND Flash 供电电压：1.7V~1.95V  存储单元排列：(128M + 4,096K)bit x 8bit  DDR：512M Bit (16Mx32)：供电电压：1.8V

137-ball FBGA Type - 11.5x13mm, 0.8mm pitch

SAMSUNG

NAND-FLASH

K9F5608Q0C-JIB

供电1.8V，256Mbit（(32M+1024k)×8bit），63- Ball TBGA

TBGA63/VFBGA55(Tray)

SAMSUNG

Nand flash

K9F5608U0C-JIB0

256Mbit, x8, page size (512 + 16 spare) Bytes,电压:2.7——3.6V

FBGA/9mm*11mm*1.0mm(Tray)

SAMSUNG